| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2N6306 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N6306 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2N6306 DESCRIPTION ·With TO-3 package ·High breakdown voltage ·High power dissipation APPLICATIONS ·Designed for high voltage inverters, switching regulators,line operated amplifiers, and switching power supplies applications PINNING (See Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT VCBO Collector-base voltage Open emitter 500 V VCEO Collector-emitter voltage Open base 250 V VEBO Emitter-base voltage Open collector 8 V IC Collector current 8 A IB Base current 4 A PT Total power dissipation Tc=25℃ 125 W Tj Junction temperature 200 ℃ Tstg Storage temperature -65~200 ℃ Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol |
Số phần tương tự - 2N6306 |
|
Mô tả tương tự - 2N6306 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |