| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD655 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD655 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Renesas Technology Corp |
|
2 / 6 page ![]() 2SD655 Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 2 of 5 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Item Symbol Min Typ Max Unit Test conditions Collector to base breakdown voltage V(BR)CBO 30 — — V IC = 10 µA, IE = 0 Collector to emitter breakdown voltage V(BR)CEO 15 — — V IC = 1 mA, RBE = ∞ Emitter to base breakdown voltage V(BR)EBO 5 — — V IE = 10 µA, IC = 0 Collector cutoff current ICBO — — 1.0 µA VCB = 20 V, IE = 0 Base to emitter voltage VBE — — 1.0 V VCE = 1 V, IC = 150 mA Collector to emitter saturation voltage VCE(sat) — 0.15 0.5 V IC = 500 mA, IB = 50 mA* 2 DC current transfer ratio hFE* 1 250 — 1200 VCE = 1 V, IC = 150 mA* 2 Gain bandwidth product fT — 250 — MHz VCE = 1 V, IC = 150 mA Notes: 1. The 2SD655 is grouped by hFE as follows. 2. Pulse test D E F 250 to 500 400 to 800 600 to 1200 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |