| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
XP3P020J bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - YAGEO Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
XP3P020J bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - YAGEO Corporation |
|
4 / 8 page ![]() XP3P020J Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Transfer Characteristics Fig 12. Gate Charge Waveform 4 Q VG -4.5V QGS QGD QG Charge 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) 100us 1ms 10ms DC T C =25 o C Single Pulse 0 2 4 6 8 0 4 8 12 16 20 Q G , Total Gate Charge (nC) I D = -10A V DS = -15V 0 400 800 1200 1600 2000 1 5 9 13 17 21 25 29 33 37 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz C iss C oss C rss 0 8 16 24 32 0123 456 -V GS , Gate-to-Source Voltage (V) T j =150 o C T j =25 o C V DS = -5V T j = -55 o C Operation in this area limited by RDS(ON) 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 t , Pulse Width (s) PDM Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |