| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
CSD18543Q3AT.B bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Texas Instruments |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
CSD18543Q3AT.B bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Texas Instruments |
|
6 / 12 page ![]() TC - Case Temperature (°C) -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 0 5 10 15 20 25 30 35 40 D012 VDS - Drain-To-Source Voltage (V) 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 1000 D010 DC 10 ms 1 ms 100 µs TAV - Time in Avalanche (ms) 0.01 0.1 1 1 10 100 D011 TC = 25q C TC = 125q C TC - Case Temperature (qC) -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4 1.6 1.8 2 D008 VGS = 4.5 V VGS = 10 V VSD - Source-To-Drain Voltage (V) 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 D009 TC = 25qC TC = 125qC 6 CSD18543Q3A SLPS633 – DECEMBER 2016 www.ti.com Product Folder Links: CSD18543Q3A Submit Documentation Feedback Copyright © 2016, Texas Instruments Incorporated Typical MOSFET Characteristics (continued) TA = 25°C (unless otherwise stated) ID = 12 A Figure 8. Normalized On-State Resistance vs Temperature Figure 9. Typical Diode Forward Voltage Single pulse, max RθJC = 1.9°C/W Figure 10. Maximum Safe Operating Area (SOA) Figure 11. Single Pulse Unclamped Inductive Switching Max RθJC = 1.9°C/W Figure 12. Maximum Drain Current vs Temperature |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |