| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISC018N08NM6SC bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISC018N08NM6SC bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
1 / 15 page ![]() 1 2 3 4 7 6 5 8 Datasheet 1 Revision 1.0 https://www.infineon.com 2025‑02‑17 MOSFET OptiMOS™ 6 Power‑Transistor, 80 V Features Product validation Fully qualified according to JEDEC for Industrial Applications Table 1 Key performance parameters Parameter Value Unit V 80 V R 1.8 mΩ I 230 A Q 126 nC Q (0V...10V) 63 nC Q (100A/μs) 54 nC PG‑WSON‑8 Part number Package Marking Related links ISC018N08NM6SC PG‑WSON‑8 018N08SC ‑ Dual‑side cooled package with lowest Junction‑top thermal resistance • Optimized for high performance SMPS • N‑channel, normal level • Very low on‑resistance R • DS(on) Superior thermal resistance • 100% avalanche tested • Pb‑free lead plating; RoHS compliant • Halogen‑free according to IEC6129‑2‑21 • DS DS(on),max D oss G rr Public ISC018N08NM6SC Final datasheet Drain Pin 5-8 Gate Pin 4 Source Pin 1-3, tab |
Số phần tương tự - ISC018N08NM6SC |
|
Mô tả tương tự - ISC018N08NM6SC |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |