| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ADT12A80IS bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ADT12A80IS bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Advanced (Shenzhen) Electronics Co.,Ltd |
|
3 / 6 page ![]() ADT12A60I/80I 3 / 6 www.advsemi.com Feb,2015 -Rev.3.05 ADV FIG.2: Average on-state current VS Allowable case Temperature(Single phase half wave) FIG.3: Gate trigger current VS Junction temperature FIG.1: Maximum average power dissipation (Single phase half wave) FIG.4: Rated surge on-state current ( Non-Repetitive) FIG.5: On-state characteristics(Max) ITM(A),On-State Current 10-1 100 101 102 4 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 (1) (2) (1)Tj=25°C Max (2)Tj=125°C Max 0 50 100 150 200 250 IGT(Tj)/IGT(25°C) x 100(%) 150 125 100 75 50 25 -50 0 -25 Power Dissipation(W) 10 8 4 2 Power Dissipation(W) 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 6 θ=180° 360° θ 0 2.5 5 7.5 10 12.5 Average On-state Current(A) 150 120 90 60 30 0 360° θ θ=180° 0 30 60 90 120 150 180 210 240 Surge On-State Current(A) 102 10 1 f=50Hz Tj=25°C Max |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |