| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SUD45P03-09-GE3 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SUD45P03-09-GE3 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED |
|
1 / 4 page ![]() Absolute Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) Symbol Parameter Max. Units VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-Source Voltage ±20 V ID Continuous Drain Current TC = 25℃ -100 A TC = 100℃ -65 A IDM Pulsed Drain Current note1 -400 A EAS Single Pulsed Avalanche Energy note2 225 mJ PD Power Dissipation TC = 25℃ 103 W RθJC Thermal Resistance, Junction to Case 1.46 ℃ /W TJ, TSTG Operating and Storage Temperature Range -55 to +175 ℃ P-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= -30V, ID= -100A RDS(ON) < 5.3mΩ @ VGS = -10V RDS(ON) < 8.2mΩ @ VGS = -4.5V ● Advanced Trench Technology ● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge ● Lead Free and Green Available 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! General Features www.bychip.cn Pin Assignment Schematic Diagram TO-252-2L Top View SUD45P03-09-GE3 v1.0 |
Số phần tương tự - SUD45P03-09-GE3 |
|
Mô tả tương tự - SUD45P03-09-GE3 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |