| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
UTG4N65L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
UTG4N65L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 4 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD UTG4N65-S Preliminary Insulated Gate Bipolar Transistor www.unisonic.com.tw 1 of 4 Copyright © 2024 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R203-107.a 650V TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT DESCRIPTION The UTC UTG4N65-S is an Trench Field-Stop Insulated Gate Bipolar Transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high switching speed, low saturation voltage and low switching loss, etc. The UTC UTG4N65-S is suitable for the resonant or soft switching applications. FEATURES * High switching speed * High avalanche ruggedness * Low saturation voltage: VCE(SAT).Typ.=1.44V @ IC=4.0A, VGE=15V (TC =25°C) SYMBOL ORDERING INFORMATION Ordering Number Package Pin Assignment Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 UTG4N65L-TN3-R UTG4N65G-TN3-R TO-252 G C E Tape Reel Note: Pin Assignment: G: Gate D: Drain S: Source MARKING |
Số phần tương tự - UTG4N65L-TN3-R |
|
Mô tả tương tự - UTG4N65L-TN3-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |