| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
4N60D bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
4N60D bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - EVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED |
|
3 / 9 page ![]() Typical Characteristics T J = 25º C, unless otherwise noted 0.5 0.75 1 1.25 1.5 1.75 2 2.25 2.5 -50 0 50 100 150 V GS = 10V, ID=3A Figure 3. Drain Current vs. Temperature Figure 4. Power Dissipation vs. Temperature Figure 1. Output Characteristics (T J = 25º C) Figure 2. Body Diode Forward Voltage Figure 5. Transfer Characteristics Figure 6. On-Resistance vs. Temperature 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 0 25 50 75 100 125 150 T C, Case Temperature (A) T C, Case Temperature (º C) V GS, Gate-to-Source Voltage (V) T J, Junction Temperature (º C) 0 5 10 15 20 25 30 35 0 20 40 60 80 100 0 5 10 15 20 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 20V 10V 8V 7V 6V 5V 0 2 4 6 8 10 12 14 0 2 4 6 8 10 T J = 150º C T J = 25º C 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 101 100 10-1 10-2 10-3 V DS, Drain-to-Source Voltage (V) V SD, Source-to-Drain Voltage (V) T J = 25º C T J = 150º C T J = -55º C 4N60F/P/Y/D 600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Rev:2023A2 3 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |