| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PLB16004U bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PLB16004U bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 12 page ![]() 1997 Feb 18 3 Philips Semiconductors Product specification Microwave power transistor PLB16004U LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Note 1. Up to 0.3 mm from ceramic. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter − 40 V VCES collector-emitter voltage RBE =0 − 40 V VCEO collector-emitter voltage open base − 15 V VEBO emitter-base voltage open collector − 3V IC DC collector current − 0.5 A Ptot total power dissipation Tmb =75 °C − 9W Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 200 °C Tsld soldering temperature t ≤ 10 s; note 1 − 235 °C handbook, halfpage 050 50 100 200 2 0 MLC457 150 T ( C) o mb Ptot (W) 4 6 8 10 Fig.2 Power derating curve. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |