| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFG10/X bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFG10/X bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
7 / 9 page ![]() 1995 Sep 22 7 Philips Semiconductors Product specification UHF power transistor BFG10W/X List of components (see Fig.7) Notes 1. VBE at 1 mA must be 0.65 V. 2. American Technical Ceramics type 100A or capacitor of same quality. 3. Resonant at 1900 MHz. COMPONENT DESCRIPTION VALUE DIMENSIONS CATALOGUE No. TR1 bias transistor, BC548 or equivalent note 1 C1, C6, C7, C8 capacitor; notes 2 and 3 24 pF C2 capacitor; note 2 0.4 pF C3 capacitor; note 2 2.4 pF C4 capacitor; note 2 0.5 pF C5 capacitor; note 2 1.2 pF C9, C10 Philips capacitor 1500 µF, 10 V 2222 032 14152 L1, L2 RF choke, Philips 4330 030 36301 R1, R2 metal film resistor 75 Ω R3, R4 metal film resistor 10 Ω Fig.7 Class-AB test circuit at f = 1.9 GHz. handbook, full pagewidth MBG429 DUT +V bias R1 R2 L1 C7 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C8 C9 L2 C10 TR1 +V CC PCB RT5880, thickness 0.79 mm. |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |