BFG11SLASHX datasheet(4/12 Pages) PHILIPS

tên linh kiện	BFG11/X

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN 2 GHz RF power transistor

PDF	12 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	PHILIPS [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

4 / 12 page

1995 Apr 07

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

NPN 2 GHz RF power transistor

BFG11; BFG11/X

CHARACTERISTICS

Tj =25 °C unless otherwise speciﬁed.

SYMBOL

PARAMETER

CONDITIONS

MIN.

MAX.

UNIT

V(BR)CBO

collector-base breakdown voltage

open emitter; IC = 0.1 mA; IE =0

−

V(BR)CEO

collector-emitter breakdown voltage

open base; IC = 10 mA; IB =0

−

V(BR)EBO

emitter-base breakdown voltage

open collector; IE = 0.1 mA; IC = 0

2.5

−

ICES

collector cut-off current

VCE =8V; VBE =0

−

100

µA

hFE

DC current gain

IC = 100 mA; VCE =5V

−

collector capacitance

IE =ie = 0; VCB = 3.6 V; f = 1 MHz

−

4pF

Cre

feedback capacitance

IC = 0; VCE = 3.6 V; f = 1 MHz

−

3pF

IC = 0; f = 1 MHz.

Fig.3

Collector capacitance as a function of

collector-base voltage; typical values.

handbook, halfpage

MLC848

010

C c

(pF)

VCB (V)

BFG11/X bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors

BFG11/X bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

bảng dữ liệu tải về

Link URL