NJVMJD112G datasheet(7/11 Pages) ONSEMI

tên linh kiện	NJVMJD112G

Giải thích chi tiết về linh kiện	Complementary Darlington Power Transistors

PDF	11 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	ONSEMI [ON Semiconductor]

Trang chủ	http://www.onsemi.com

Logo

7 / 11 page

MJD112 (NPN), MJD117 (PNP)

http://onsemi.com

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

NPN MJD112

PNP MJD117

Figure 7. DC Current Gain

Figure 8. Collector Saturation Region

Figure 9. “On Voltages

0.04

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

300

0.06

0.2

2 k

800

4 k

VCE = 3 V

TJ = 125°C

3 k

0.1

0.6

°C

-55

°C

1 k

0.4

6 k

400

600

0.04

300

0.06

0.2

2 k

800

4 k

3 k

0.1

0.6

°C

-55

°C

1 k

0.4

6 k

400

600

3.4

IB, BASE CURRENT (mA)

2.6

2.2

1.8

1.4

0.6

0.1

0.2

0.5

IC =

0.5 A

1 A

0.04

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

1.4

2.2

1.8

0.6

0.2

TJ = 25°C

VBE(sat) @ IC/IB = 250

VBE @ VCE = 3 V

VCE(sat) @ IC/IB = 250

0.06

0.2

0.1

0.6

0.4

0.04

IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)

1.4

2.2

1.8

0.6

0.2

TJ = 25°C

VBE(sat) @ IC/IB = 250

VCE(sat) @ IC/IB = 250

0.06

0.2

0.1

0.6

0.4

100

3.4

IB, BASE CURRENT (mA)

2.6

2.2

1.8

1.4

0.6

0.1

0.2

0.5

100

VBE @ VCE = 3 V

TC = 125°C

VCE = 3 V

4 A

TJ = 125°C

2 A

TJ = 125°C

IC =

0.5 A

1 A

4 A

2 A

TYPICAL ELECTRICAL CHARACTERISTICS

NJVMJD112G bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - ON Semiconductor

NJVMJD112G bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - ON Semiconductor

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

bảng dữ liệu tải về

Link URL