| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE17411B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE17411B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 7 page ![]() ACE17411B P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET VER 1.1 1 Description load switch battery protection applications Features VDS=-30V ID=-60A RDS(ON)@VGS=-10V,TYP 6.6 mΩ RDS(ON)@VGS=-4.5V,TYP8.5 mΩ Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Ratings Units Drain-Source Voltage VDSS -30 V Gate-Source Voltage VGSS ±20 V Drain Current(Continuous) *AC TC=25℃ ID -60 A TC=100℃ -33 Drain Current(Pulsed) *B IDM -145 A Power Dissipation TC=25℃ PD 96 W Operating temperature / storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Note : A. The value of RθJA is measured with the device mounted on 1in2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with TA=25°C. The value in any given application depends on the user's specific board design. B. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature. C. The current rating is based on the t≤ 10s junction to ambient thermal resistance rating Thermal Resistance Ratings Parameter Symbol Typical Maximum Units Maximum Junction-to-Ambient Steady State R thJC 1 1.3 °C/W |
Số phần tương tự - ACE17411B |
|
Mô tả tương tự - ACE17411B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |