| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SB772S-AB3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB772S-AB3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 4 page ![]() 2SB772S PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 www.unisonic.com.tw QW-R208-002.B ■ TYPICAL CHARACTERICS Fig.1 Static characteristics -Collector-Emitter voltage (V) 04 8 12 16 20 0 0.4 0.8 1.2 1.6 Case Temperature, Tc ( ℃) -IB=1mA -IB=2mA -IB=3mA -IB=4mA -IB=5mA -IB=6mA -IB=7mA -IB=8mA -IB=9mA Fig.2 Derating curve of safe operating areas 200 150 100 50 0 -50 0 50 100 150 S/b lim ited Case Temperature, Tc ( ℃) 200 150 100 50 0 -50 Fig.3 Power Derating 0 4 8 12 Fig.4 Collector Output capacitance -Collector-Base Voltage(v) 10 0 10 -1 10 -2 10 -3 10 1 10 2 10 3 10 0 IE=0 f=1MHz Fig.5 Current gain - bandwidth product 10 1 10 2 10 3 10 0 VCE=5V Collector-Emitter Voltage Fig.6 Safe Operating Area Ic(max),DC Ic(max),Pulse 10 mS 1m S Collector current, Ic (A) 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 0 10 1 10 2 IB=8mA IB=8mA |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |