| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BLF642 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Ampleon Netherlands B.V. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BLF642 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Ampleon Netherlands B.V. |
|
4 / 12 page ![]() BLF642#3 All information provided in this document is subject to legal disclaimers. © Ampleon The Netherlands B.V. 2015. All rights reserved. Product data sheet Rev. 3 — 1 September 2015 4 of 12 BLF642 Broadband power LDMOS transistor 8. Test information 8.1 RF performance The following figures are measured in a class-AB production test circuit. 8.1.1 1-Tone CW VDS = 32 V; IDq = 200 mA; f = 1300 MHz. VDS = 32 V; f = 1300 MHz. (1) IDq = 50 mA (2) IDq = 100 mA (3) IDq = 150 mA (4) IDq = 200 mA (5) IDq = 250 mA (6) IDq = 300 mA (7) IDq = 350 mA Fig 1. Power gain and drain efficiency as function of load power; typical values Fig 2. Power gain as a function of load power; typical values PL (W) 050 40 20 30 10 001aan775 40 20 60 80 ηD (%) 0 ηD 18 16 20 22 GP (dB) GP 14 PL (W) 050 40 20 30 10 001aan776 (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) 18 16 20 22 GP (dB) 14 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |