| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP13N60DM2 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP13N60DM2 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - STMicroelectronics |
|
1 / 13 page ![]() 1 2 3 TO-220 TAB D(2, TAB) G(1) S(3) AM01475V1 Features Order code VDS RDS(on ) max. ID STP13N60DM2 600 V 0.365 Ω 11 A • Fast-recovery body diode • Extremely low gate charge and input capacitance • Low on-resistance • 100% avalanche tested • Extremely high dv/dt ruggedness • Zener-protected Applications • Switching applications Description This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast- recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters. Product status STP13N60DM2 Product summary Order code STP13N60DM2 Marking 13N60DM2 Package TO-220 Packing Tube N-channel 600 V, 0.310 Ω typ., 11 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220 package STP13N60DM2 Datasheet DS12837 - Rev 1 - November 2018 For further information contact your local STMicroelectronics sales office. www.st.com |
Số phần tương tự - STP13N60DM2 |
|
Mô tả tương tự - STP13N60DM2 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |