| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PR812BA33 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PR812BA33 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
6 / 6 page ![]() REV 1.0 6 K-12-1 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PR812BA33 PowerFET NIKO-SEM 0 200 400 600 800 1000 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Single Pulse R θJC = 2.5 ˚C/W TC = 25 ˚C single pulse Duty cycle=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.01 0.1 1 10 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Notes 1.Duty cycle, D= t1 / t2 2.RthJC = 2.5 ℃/W 3.TJ-TC = P*RthJC(t) 4.RthJC(t) = r(t)*RthJC Single Pulse Maximum Power Dissipation, (Top) Safe Operating Area, (Top) VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Single Pulse Time(s) Transient Thermal Response Curve, (Top) T1 , Square Wave Pulse Duration(s) DC 100ms 10ms 1ms 100uS 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 NOTE : 1.VGS = 10V 2.TC =25 ˚C 3.R θJC = 2.5 ˚C/W 4.Single Pulse Operation in This Area is Limited by RDS(ON) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |