SM2001CSK datasheet(1/9 Pages) DOINGTER

tên linh kiện	SM2001CSK

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

PDF	9 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Trang chủ	http://www.doingter.cn/

Logo

1 / 9 page

www.doingter.cn

—

1 —

Description：

This N-Channel and P-Channel MOSFET useadvanced trench

Tech nol ogy To provide excellent RDS(ON)，low gate charge.

This device may be usedto form a level shifted high side switch,

and for a host ofotherapplication.

Features：

N-Channel:V DS=20V,ID=6.8A,RDS(ON)<17mΩ@VGS=4.5V

P-Channel: V DS=-30V,ID=-5.1A,RDS(ON)<55@VGS=-10

1) Low gate charge.

2) Green device available.

3) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON).

4) Excellent package for good heat dissipation.

Absolute Maximum Ratings：(T

A=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

Parameter

N-Channel

P-Channel

Units

VDS

Drain-Source Voltage

20

-30

V

VGS

Gate-Source Voltage

±10

±20

V

ID

Continuous Drain Current

6.8

-5.1

A

Continuous Drain Current

1

26

-20

PD

Power Dissipation

2

2.5

W

TJ, TSTG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to +150

℃

Thermal Characteristics：

Symbol

Parameter

N-CH

P-CH

Units

RƟJA

Thermal Resistance,Junction to Ambient

2

62.5

℃/W

G2

D1

D2

S1

G1

S2

SM 2001CSK

Số phần tương tự - SM2001CSK

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Sinopower Semiconductor...	SM2001CSK	293Kb / 16P	Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)
Sinopower Semiconductor...	SM2001CSKC-TRG	293Kb / 16P	Dual Enhancement Mode MOSFET (N- and P-Channel)

More results

Mô tả tương tự - SM2001CSK

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	MTA015C02Q8	2Mb / 9P	N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	MTD120C10KQ8	2Mb / 7P	N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	RU30L15H	2Mb / 7P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SM2221CSQG	1Mb / 7P	N-Channel and P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SM4310PSK	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SM4403PSK	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SPP4435B	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	SSG4841P	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STP413D	1,019Kb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	STP4435A	1Mb / 4P	P-Channel MOSFET uses advanced trench technology

More results

SM2001CSK bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

SM2001CSK bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

Số phần tương tự - SM2001CSK

Mô tả tương tự - SM2001CSK

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9

bảng dữ liệu tải về

Link URL