| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
25N10L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
25N10L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
4 / 5 page ![]() www.doingter.cn — — 4 -50 0 50 100 150 100 105 110 115 120 T , Junction temperature (℃) ID = 250 μA VGS = 0 V -50 0 50 100 150 25m 50m 75m 100m I D = 5 A V GS = 10 V T j, Junction Temperature (℃) Figure 5, Drain-source breakdown voltage Figure 6, Drain-source on-state resistance -50 0 50 100 150 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 ID = 250 μA Tj, Junction Temperature (℃) 0.0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 0.1 1 10 100 T j = 25 ℃ V SD, Source-Drain voltage (V) Figure 7, Threshold voltage Figure 8, Forward characteristic of body diode 8 16 24 32 40 48 56 0 100m 200m 300m 400m 500m 5.5 V 10 V 5 V 4 V 4.5 V V GS=3.5 V I D, Drain current(A) 0 20 40 60 80 100 120 140 0 3 6 9 12 15 18 T C, Case Temperature (℃) Figure 9, Drain source on state resistance Figure 10, Drain current 25N10L-TN3-R |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |