| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
6NM65L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
6NM65L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
3 / 7 page ![]() www.doingter.cn — 3 — Qgs Gate-Source Charge ID=5A --- 1.6 nC Qgd Gate-Drain “Miller” Charge --- 4 nC Drain-Source Diode Characteristics VSD Source-Drain Diode Forward Voltage VGS=0V,IS=1A --- --- 1 V ISDM Continuous Source Current --- 15 A ISD Pulsed Source Current --- 5 A trr Reverse Recovery Time 14 --- Ns qrr Reverse Recovery Charge 5 --- nc IMM 15 A Notes: Typical Characteristics: (T C=25℃ unless otherwise noted) --- RG f = 1 MHz open drain Intrinsic gate resistance 2.5 Ω 1.Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature 2. Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V, RG=25Ω Figure1. Safe operating area Figure2. Source-Drain Diode Forward Voltage Figure3. Output characteristics Figure4. Transfer characteristics 6NM65L-TN3-R |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |