| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDMS3602S bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDMS3602S bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - ON Semiconductor |
|
8 / 15 page ![]() Typical Characteristics (Q2 N-Channel) T J = 25°C unless otherwise noted. Figure 20. Gate Charge Characteristics Figure 21. Capacitance vs. Drain to Source Voltage Figure 22. Unclamped Inductive Switching Capability Figure 23. Maximum Continuous Drain Current vs. Case Temperature Figure24. ForwardBiasSafe Operating Area Figure 25. Single Pulse Maximum Power Dissipation 0 1020 3040 50 0 2 4 6 8 10 ID = 26 A VDD = 16 V VDD = 10 V Qg, GATE CHARGE (nC) VDD = 13 V 0.1 1 10 50 100 1000 10000 25 f = 1 MHz VGS = 0 V VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Crss Coss Ciss 0.01 0.1 1 10 100 300 1 10 50 TJ = 100 oC TJ = 25 oC TJ = 125 oC tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) 25 50 75 100 125 150 0 30 60 90 120 150 RθJC = 2 oC/W VGS = 4.5 V Limited by Package VGS = 10 V TC, CASE TEMPERATURE ( oC) 0.01 0.1 1 10 100200 0.01 0.1 1 10 100 200 100 μs DC 100 ms 10 ms 1 ms 1s VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RθJA = 120 oC/W TA = 25 oC 10s 10-4 10-3 10-2 10-1 110 100 1000 1 10 100 1000 10000 SINGLE PULSE RθJC = 2 oC/W t, PULSE WIDTH (sec) www.onsemi.com 8 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |