| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SJ635. bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SJ635. bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd |
|
4 / 7 page ![]() TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted) THERMAL RATINGS On-Resistance vs. Junction Temperature 0.4 0.7 1.0 1.3 1.6 1.9 - 50 - 25 0 25 50 75 100 125 150 ID = 10 A VGS = 10 V TJ - Junction Temperature (°C) Source-Drain Diode Forward Voltage 0.0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5 VSD - Source-to-Drain Voltage (V) 40 10 1 TJ = 25 °C TJ = 150 °C Maximum Drain Current vs. Case Temperature 0 5 10 15 20 25 0 25 50 75 100 125 150 TC - Case Temperature (°C) Safe Operating Area 0.001 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 1000 1 s DC VDS - Drain-to-Source Voltage (V) * VGS minimum VGS at which rDS(on) is specified 100 ms 10 s TC = 25 °C Single Pulse Limited by rDS(on)* BVDSS Limited Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient 10-3 10-2 0 0 6 0 1 1 10-1 10-4 100 2 1 0.1 0.01 0.2 0.1 0.05 0.02 Single Pulse Duty Cycle = 0.5 Square Wave Pulse Duration (sec) www.VBsemi.tw E-mail:China@VBsemi TEL:86-755-83251052 2SJ635. 4 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |