| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
WSF10N40 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
WSF10N40 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Shenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd |
|
4 / 5 page ![]() N-Ch MOSFET WSF10N40 Page 4 www.winsok.tw Dec.2014 0.8 0.9 1 1.1 1.2 -100 -50 0 50 100 150 200 T J,Junction Temperature(℃ ℃ ℃ ℃) 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 -100 -50 0 50 100 150 200 T J,Junction Temperature(℃ ℃ ℃ ℃) PULSED TEST V GS = 10V I D = 4.5A Figure 7. Normalized Breakdown Voltage vs. Junction Temperature Figure 8. Normalized On Resistance vs. Junction Temperature 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 VDS,Drain-to-Source Voltage,V SINGLE PULSE T C=25℃ T J=150℃ Operation in This Area is Limited by R DS(on) DC 10ms 1ms 100µs 10µs 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 25 50 75 100 125 150 TC,Case Temperature,℃ ℃ ℃ ℃ Figure 9. Maximum Safe Operating Area Figure 10. Maximum Continuous Drain Current vs. Case Temperature 0.01 0.1 1 10 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01 t,Pulse Duration,s Notes: 1.Duty Factor D = t1/t2 2.Peak Tj = Pdm x Zthjc + Tc SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) 0.01 0.02 0.05 0.10 0.20 D=0.50 Figure 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |