| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJM2324NSA bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJM2324NSA bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd, |
|
1 / 6 page ![]() PJM2324NSA N- Enhancement Mode Field Effect Transistor Absolute Maximum Ratings (TA=25℃, unless otherwise noted) 1. Gate 2.Source 3.Drain Marking: S24 Schematic diagram SOT-23 3 1 2 Gate Source Drain Features Applications Trench FET Power MOSFET RDS(ON) < 234mΩ (VGS = 10V) RDS(ON) < 278mΩ (VGS = 4.5V) DC/DC Converter Load Switching Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ± 20 V Continuous Drain Current ID 2 A Pulsed Drain Current Note 1 IDM 8 A Total Power Dissipation PD 0.35 W Operating Junction Temperature TJ 150 ℃ Storage Temperature TSTG - 55 to + 150 ℃ Thermal Characteristics Parameter Symbol Value Unit Thermal Resistance, Junction to Ambient Note2 RθJA 357 ℃ / W 1 / 6 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Sep-2018 |
Số phần tương tự - PJM2324NSA |
|
Mô tả tương tự - PJM2324NSA |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |