| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PMV42ENE bảng dữ liệu(PDF) 9 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PMV42ENE bảng dữ liệu(HTML) 9 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
9 / 17 page ![]() © Nexperia B.V. 2017. All rights reserved Nexperia PMV42ENE 30 V, N-channel Trench MOSFET PMV42ENE All information provided in this document is subject to legal disclaimers. Product data sheet 16 March 2016 9 / 17 VGS (V) 0 5 4 2 3 1 aaa-020814 10 5 15 20 ID (A) 0 Tj = 150 °C Tj = 25 °C VDS > ID × RDSon Fig. 10. Transfer characteristics: drain current as a function of gate-source voltage; typical values Tj (°C) -60 180 120 0 60 aaa-020815 1 0.5 1.5 2 a 0 Fig. 11. Normalized drain-source on-state resistance as a function of junction temperature; typical values Tj (°C) -60 180 120 0 60 aaa-021518 1 2 3 VGS(th) (V) 0 min typ max ID = 0.25 mA; VDS = VGS Fig. 12. Gate-source threshold voltage as a function of junction temperature aaa-022067 VDS (V) 10-1 102 10 1 102 103 C (pF) 10 Ciss Coss Crss f = 1 MHz; VGS = 0 V Fig. 13. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |