| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PBHV2160Z bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PBHV2160Z bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - Nexperia B.V. All rights reserved |
|
7 / 13 page ![]() © Nexperia B.V. 2017. All rights reserved Nexperia PBHV2160Z 600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor PBHV2160Z All information provided in this document is subject to legal disclaimers. Product data sheet 24 June 2015 7 / 13 aaa-013588 IC (mA) 10-1 103 102 1 10 10-1 1 VCEsat (V) 10-2 (1) (2) (3) Tamb = 25 °C (1) IC/IB = 10 (2) IC/IB = 5 (3) IC/IB = 2.5 Fig. 10. Collector-emitter saturation voltage as a function of collector current; typical values aaa-013589 IC (mA) 10-1 103 102 1 10 1 10 102 103 RCEsat (Ω) 10-1 (1) (2) (3) IC/IB = 5 (1) Tamb = 100 °C (2) Tamb = 25 °C (3) Tamb = −55 °C Fig. 11. Collector-emitter saturation resistance as a function of collector current; typical values aaa-013590 IC (mA) 10-1 103 102 1 10 1 10 102 103 RCEsat (Ω) 10-1 (1) (2) (3) Tamb = 25 °C (1) IC/IB = 10 (2) IC/IB = 5 (3) IC/IB = 2.5 Fig. 12. Collector-emitter saturation resistance as a function of collector current; typical values |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |