| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PZP103BY bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PZP103BY bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NIKO SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
3 / 4 page ![]() 3 E-19-5 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PZP103BY SOT-323 Halogen-Free & Lead-Free NIKO-SEM REV1.0 0 1 2 3 4 0.001 0.01 0.1 1 10 100 Single Pulse RθJA = 290˚C/W TA=25˚C 25℃ 150℃ 0.1 1 10 100 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 VGS=10V ID=0.1A CISS COSS CRSS 0 9 18 27 36 45 0 5 10 15 20 25 30 0 1 2 3 4 0 123 45 VGS=3.5V VGS=2.5V VGS=3V VGS=4V VGS=4.5V VGS=5V 25℃ 125℃ -20℃ 0 0.6 1.2 1.8 2.4 3 01 23 45 Output Characteristics Transfer Characteristics VGS, Gate-To-Source Voltage(V) VDS, Drain-To-Source Voltage(V) TJ , Junction Temperature(˚C) Capacitance Characteristic VDS, Drain-To-Source Voltage(V) Source-Drain Diode Forward Voltage VSD, Source-To-Drain Voltage(V) Single Pulse Maximum Power Dissipation Single Pulse Time(s) On-Resistance VS Temperature |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |