| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MHT2000N bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MHT2000N bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - NXP Semiconductors |
|
7 / 21 page ![]() MHT2000NR1 MHT2000GNR1 7 RF Device Data Freescale Semiconductor, Inc. TYPICAL CHARACTERISTICS — NARROWBAND 100 25 30 0 50 Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW Figure 9. Power Gain and Power Added Efficiency versus CW Output Power as a Function of IDQ1 VDD =28 Vdc IDQ2 = 195 mA f = 2450 MHz 10 1 29 28 27 26 40 30 20 10 IDQ1 varied from 45 mA to 65 mA in5mA steps IDQ1 =65 mA 60 mA 100 29 10 50 Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW Figure 10. Power Gain and Power Added Efficiency versus CW Output Power as a Function of IDQ2 VDD =28 Vdc IDQ1 =55 mA f = 2450 MHz 10 1 28 40 30 20 IDQ2 = 235 mA 25 215 mA 195 mA 175 mA 155 mA IDQ2 varied from 155 mA to 235 mA in 20 mA steps 27 26 55 mA 50 mA 45 mA Figure 11. MTTF versus Junction Temperature This above graph displays calculated MTTF in hours when the device is operated at VDD =28 Vdc,Pout = 25 W CW, and PAE = 43.8%. MTTF calculator available at http://www.freescale.com/rf. Select Software & Tools/Development Tools/Calculators to access MTTF calculators by product. 250 109 90 TJ, JUNCTION TEMPERATURE (C) 108 104 110 130 150 170 190 210 230 2nd Stage 1st Stage 107 106 105 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |