 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MMBD352W bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MMBD352W bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited |
|
|
1 / 3 page  Production specification Schottky Barrier Diode MMBD352W F070 www.gmesemi.com Rev.A 1 FEATURES Very low capacitance-less than 1.0Pf @zero volts. Low forward voltage-0.5 Voltage(Typ.) @IF=10mA. APPLICATIONS For UHF mixer applications. SOT-323 ORDERING INFORMATION Type No. Marking Package Code MMBD352W M5 SOT-323 MAXIMUM RATING @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Limits Unit Continuous reverse voltage VR 7.0 V Power Dissipation Pd 200 mW Thermal resistance junction-to-ambient RθJA 625 Junction temperature Tj 150 ℃ Storage temperature range Tstg -55 to +150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ Ta=25℃ unless otherwise specified Parameter Symbol Test conditions MIN Typ. MAX UNIT Reverse current IR VR=3V VR=7V 0.25 10 μA Forward voltage VF IF=10mA 0.60 V Diode capacitance CD VR=0V, f=1MHz 1.0 pF Pb Lead-free |
Số phần tương tự - MMBD352W |
|
Mô tả tương tự - MMBD352W |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
