| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IXTL2N470 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - IXYS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTL2N470 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - IXYS Corporation |
|
4 / 5 page ![]() IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions. IXTL2N470 Fig. 7. Transconductance 0 1 2 3 4 5 6 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 ID - Amperes TJ = - 40ºC 125ºC 25ºC Fig. 8. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode 0 1 2 3 4 5 6 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 VSD - Volts TJ = 125ºC TJ = 25ºC Fig. 9. Gate Charge 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 QG - NanoCoulombs VDS = 1000V I D = 1A I G = 10mA Fig. 10. Capacitance 10 100 1,000 10,000 0 5 10 15 20 25 30 35 40 VDS - Volts f = 1 MHz Ciss Crss Coss Fig. 11. Forward-Bias Safe Operating Area 0.01 0.1 1 10 100 1,000 10,000 VDS - Volts TJ = 150ºC TC = 25ºC Single Pulse 25µs 1ms 100µs RDS(on) Limit 1s 10ms 100ms DC Fig. 12. Resistive Switching Times vs. External Gate Resistance 0 50 100 150 200 250 300 01 23 4 5 67 8 9 10 RG(ext) - Ohms t f t r t d(off) t d(on) VDS = 1kV, VGS = 10V ID = 1A, TJ = 25ºC |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |