| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDMF2011 bảng dữ liệu(PDF) 28 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDMF2011 bảng dữ liệu(HTML) 28 Page - ON Semiconductor |
|
28 / 31 page ![]() © 2016 Fairchild Semiconductor Corporation www.fairchildsemi.com FDMF2011 Rev.1.0 27 The gate-to-ground impedance is the parallel combination of the gate drive (ZG_DRV) and the MOSFET gate-to-source (ZMOS_Gate) paths. As dVDS/dt increases, the more favorable path for displacement current is through the capacitive gate-source (CGS) path versus the highly inductive and resistive gate drive loop. So impedence through gate driver should be minimized. The severity of the shoot through current is difficult to predict. |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |