IRF730 bảng dữ liệu, PDF

IRF730 là một MOSFET công suất (bóng bán dẫn hiệu ứng trường học-oxit-oxit-semealuctor) được thiết kế cho các ứng dụng chuyển đổi tốc độ cao. Nó được sản xuất bởi các nhà sản xuất chất bán dẫn khác nhau, bao gồm Infineon Technologies, trên chất bán dẫn và các công nghệ khác. Dưới đây là một số tính năng chính và thông số kỹ thuật của IRF730:

Loại MOSFET: IRF730 là MOSFET tăng cường kênh N. Trong MOSFET ở chế độ tăng cường, thiết bị tiến hành khi áp dụng điện áp cho thiết bị đầu cuối cổng, không giống như MOSFET ở chế độ cạn kiệt, tiến hành theo mặc định cho đến khi áp dụng điện áp cho cổng để tắt chúng.

Điện áp và xếp hạng hiện tại: IRF730 thường hoạt động với xếp hạng điện áp nguồn (VDS) khoảng 400 volt và tỷ lệ dòng chảy liên tục (ID) của một số ampe, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng năng lượng trung bình.

Độ bền thấp: IRF730 có tính năng hoàn toàn thấp (RDS (ON)), dẫn đến giảm tổn thất dẫn truyền khi MOSFET được bật hoàn toàn. Đặc điểm này là rất cần thiết cho các ứng dụng chuyển đổi và chuyển đổi năng lượng hiệu quả.

Chuyển đổi tốc độ cao: Với điện tích cổng thấp và điện dung nội tại, IRF730 có khả năng chuyển đổi tốc độ cao, làm cho nó phù hợp với các ứng dụng yêu cầu tần số chuyển đổi nhanh, như nguồn điện, ổ đĩa động cơ và bộ biến tần.

Gói TO-220: IRF730 thường có sẵn trong gói TO-220, cung cấp hiệu suất nhiệt tốt và dễ gắn trên tản nhiệt để tản nhiệt trong các ứng dụng công suất cao.

Ứng dụng: IRF730 thường được sử dụng trong các mạch và ứng dụng điện tử khác nhau, bao gồm các bộ điều chỉnh chuyển đổi, bộ chuyển đổi DC-DC, mạch điều khiển động cơ, bộ khuếch đại công suất và rơle điện tử.

Điện áp ngưỡng nguồn cổng (VGS (TH)): Điện áp ngưỡng nguồn cổng chỉ định điện áp tối thiểu cần thiết giữa cổng và đầu cuối nguồn để bật MOSFET. Tham số này khác nhau giữa các thiết bị riêng lẻ và nên được xem xét trong thiết kế mạch.

IRF730 bảng dữ liệu, PDF

Mô tả ngắn gọn về IRF730

Link URL