| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FDMS9409L bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FDMS9409L bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - ON Semiconductor |
|
4 / 8 page ![]() www.fairchildsemi.com 3 ©2016 Fairchild Semiconductor Corporation FDMS9409L_F085 Rev. 1.0 Typical Characteristics Figure 1. Normalized Power Dissipation vs. Case Temperature 0 25 50 75 100 125 150 175 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 TC, CASE TEMPERATURE(oC) Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs. Case Temperature 25 50 75 100 125 150 175 200 0 30 60 90 120 150 CURRENT LIMITED BY PACKAGE VGS = 10V TC, CASE TEMPERATURE(oC) CURRENT LIMITED BY SILICON Figure 3. 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 0.01 0.1 1 SINGLE PULSE D = 0.50 0.20 0.10 0.05 0.02 0.01 t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s) DUTY CYCLE - DESCENDING ORDER 2 NOTES: DUTY FACTOR: D = t1/t2 PEAK TJ = PDM x ZθJC x RθJC + TC PDM t1 t2 Normalized Maximum Transient Thermal Impedance Figure 4. Peak Current Capability 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 100 1000 V GS = 10V SINGLE PULSE t, RECTANGULAR PULSE DURATION(s) 2000 TC = 25oC I = I25 175 - TC 150 FOR TEMPERATURES ABOVE 25oC DERATE PEAK CURRENT AS FOLLOWS: |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |