| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD1114 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD1114 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1114 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 5mA; IC= 0 6 V V(BR)CBO Collector - Base Breakdown Voltage IC= 0.1mA; IE= 0 400 V VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 50mA; IB= 0 400 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 60mA 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 6A; IB= 60mA 2.0 V ICEO Collector Cutoff Current VCB= 400V; Rbe = ∞ 0.1 mA hFE DC Current Gain IC= 4A; VCE= 2V 500 Switching Times ton Turn-On Time IC= 6A; IB1= IB2= 60mA; 2.0 μ s Toff Turn-On Time 23 μ s Download from alldatasheet.com |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |