| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
EC747N65AFR bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - E-CMOS Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
EC747N65AFR bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - E-CMOS Corporation |
|
3 / 6 page ![]() EC747N65 650V,7A N-Channel Power MOSFET C o n v e r t e r E-CMOS Corp. (www.ecmos.com.tw) Page 3 of 6 4J06N-Rev.F001 IS Drain-Source Diode Forward Continuous Current VGS = 0V - - 7.0 A ISM Miximum Pulsed Current VGS = 0V - - 28 A VSD Drain-Source Diode Forward Voltage VGS = 0V, IS =3.5A - - 1.5 V ■ Drain-Source Diode Characteristics Notes : a. TJ = +25 C to +150 C. b. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature. c. L=10mH, VDD =50V, IAS =9A, RG =25Ω Starting TJ =25 ℃. d. Pulse width≦ 300 μs; duty cycle≦ 2%. ORDERING INFORMATION Part Number Package Marking Marking Information EC747N65AFR TO-220F-3L 747N65 LLLLL YYWW 1. LLLLL:Lot No. 2. YY:Year code 3. WW:Week code EC747N65AR TO-220-3L EC747N65A9R TO-263-3L |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |