| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SB1077 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SB1077 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor 1 isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark isc Silicon PNP Darlington Power Transistor 2SB1077 DESCRIPTION · Silicon NPN triple diffused · Low Collector-Emitter Saturation Voltage · Complement to Type 2SD1558 · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for low frequency power amplifier ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V IC Collector Current-Continuous -4 A ICM Collector Current-Peak -8 A PC Collector Power Dissipation TC=25℃ 40 W Collector Power Dissipation Ta=25℃ 2 Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 3.125 ℃ /W Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 62.5 ℃ /W |
Số phần tương tự - 2SB1077 |
|
Mô tả tương tự - 2SB1077 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |