| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
FMP05P30 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - First Components International |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
FMP05P30 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - First Components International |
|
1 / 2 page ![]() VDS= -30V RDS(ON), Vgs@-10V, Ids@-5.3A = 59.4mΩ RDS(ON), Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A = 88mΩ Features Advanced trench process technology High Density Cell Design For Ultra Low On-Resistance Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Improved Shoot-Through FOM Maximum Ratings and Thermal Characteristics (T A = 25 oC unless otherwise noted) Symbol Limit Unit VDS -30 VGS + 20 ID -5.3 IDM -20 TA = 25 oC 2.5 TA = 75 oC TJ, Tstg -55 to 150 oC EAS mJ RθJC 30 Junction-to-Ambient Thermal Resistance (PCB mounted) RθJA 50 Note: 1. Maximum DC current limited by the package 2. 1-in 2oz Cu PCB board August '05 Rev 2 1 Avalanche Energy with Single Pulse ID=50A, VDD=25V, L=0.5mH Operating Junction and Storage Temperature Range Continuous Drain Current Gate-Source Voltage Maximum Power Dissipation P-Channel MOSFET oC/W Junction-to-Case Thermal Resistance Parameter V A W Drain-Source Voltage PD Pulsed Drain Current Top View Internal Schematic Diagram TSOP-6 Gate Drain Source 1) 2) 2 FMP05P30 5.3A 30V P-Channel Enhancement-Mode MOSFET |
Số phần tương tự - FMP05P30 |
|
Mô tả tương tự - FMP05P30 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |