| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MDF1933TH bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - MagnaChip Semiconductor. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MDF1933TH bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - MagnaChip Semiconductor. |
|
4 / 6 page ![]() Nov. 2014. Rev 1.0 4 MagnaChip Semiconductor Ltd. Fig.7 Gate Charge Characteristics Fig.8 Capacitance Characteristics Fig.9 Maximum Safe Operating Area Fig.10 Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig.11 Transient Thermal Response Curve 25 50 75 100 125 150 0 10 20 30 40 50 T C, Case Temperature [،ة] 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 10 2 ،ط Notes : Duty Factor, D=t 1/t2 PEAK T J = PDM * Z¥èJC * R¥èJC(t) + TC single pulse D=0.5 0.02 0.2 0.05 0.1 0.01 t 1, Rectangular Pulse Duration [sec] 0 5 10 15 20 25 30 35 40 0 1000 2000 3000 4000 5000 C iss = Cgs + Cgd (Cds = shorted) C oss = Cds + Cgd C rss = Cgd ※ Notes ; 1. V GS = 0 V 2. f = 1 MHz C rss C oss C iss V DS, Drain-Source Voltage [V] 0 10 20 30 40 50 60 0 2 4 6 8 10 V DS = 40V ※ Note : I D = 50A Q G, Total Gate Charge [nC] 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 -1 10 0 10 1 10 2 10 3 1 s 1 ms 100 ms 10 ms DC 100 us Operation in This Area is Limited by R DS(on) Single Pulse T J=Max rated T C=25،ة V DS, Drain-Source Voltage [V] |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |