| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TS110-8 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TS110-8 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 10 page ![]() Characteristics TS110-8 4/10 DocID026589 Rev 1 Figure 5. Relative variation of thermal impedance junction to ambient versus pulse duration Figure 6. Typical thermal resistance junction to ambient versus copper surface under anode (epoxy FR4, Cuth = 35 µm) 0.01 0.10 1.00 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01 1.0E+02 1.0E+03 TO-92 SMBflat-3L Copper surface area = 5cm² T( ) p s K = [Z /R ] th(j-a) th(j-a) Figure 7. Relative variation of gate trigger current and trigger voltage versus junction temperature (typical values) Figure 8. Relative variation of latching and holding current versus junction temperature (typical values) Figure 9. Relative variation of holding current versus gate-cathode resistance (typical values) Figure 10. Relative variation of dV/dt immunity versus junction temperature (typical values) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 1.E-01 1.E+00 1.E+01 RK GK () Ω I [ ] / I [ = 2 ] HH RGK RGK 20 Ω 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 40 60 80 100 120 Tj °C () VV D = 0.67 X DRM GK = 220 R Ω dV/d dV/d 1 tt [T ] / [T = 25°C] jj |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |