| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP315N10F7 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP315N10F7 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 13 page ![]() STP315N10F7 Electrical characteristics DocID025348 Rev 4 5/13 Table 7: Source-drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 180 A ISDM(1) Source-drain current (pulsed) - 720 A VSD(2) Forward on voltage VGS = 0 V, ISD= 60 A - 1.5 V trr Reverse recovery time ISD = 180 A, di/dt = 100 A/µs VDD = 80 V, TJ= 150 °C (see Figure 15: "Test circuit for inductive load switching and diode recovery times") - 85 ns Qrr Reverse recovery charge - 200 nC IRRM Reverse recovery current - 4.7 A Notes: (1)Pulse width limited by safe operating area. (2)Pulse duration = 300μs, duty cycle 1.5% |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |