| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
RN1102 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RN1102 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
1 / 7 page ![]() RN1101 ~RN1106 2001-06-07 1 Type No. R1 (kΩ) R2 (kΩ) RN1101 4.7 4.7 RN1102 10 10 RN1103 22 22 RN1104 47 47 RN1105 2.2 47 RN1106 4.7 47 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) RN1101,RN1102,RN1103 RN1104,RN1105,RN1106 Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications l With built-in bias resistors l Simplify circuit design l Reduce a quantity of parts and manufacturing process l Complementary to RN2101~RN2106 Equivalent Circuit and Bias Resister Values Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 50 V Collector-emitter voltage RN1101~1106 VCEO 50 V RN1101~1104 10 Emitter-base voltage RN1105, 1106 VEBO 5 V Collector current IC 100 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range RN1101~1106 Tstg −55~150 °C JEDEC ― EIAJ ― TOSHIBA 2-2H1A Weight: 2.4mg Unit: mm |
Số phần tương tự - RN1102 |
|
Mô tả tương tự - RN1102 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |