| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP120N10F4 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP120N10F4 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 18 page ![]() DocID026168 Rev 1 5/18 STB120N10F4, STP120N10F4 Electrical characteristics 18 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit I SD Source-drain current - 120 A I SDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area. Source-drain current (pulsed) - 390 A V SD (2) 2. Pulsed: Pulse duration = 300 μs, duty cycle 1.5% Forward on voltage I SD = 60 A, V GS = 0 - 1.2 V t rr Reverse recovery time I SD = 120 A, V DD = 80 V di/dt = 100 A/μs, T j = 150 °C (see Figure 15) -72 ns Q rr Reverse recovery charge - 215 nC I RRM Reverse recovery current - 6 A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |