| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SCT10N120 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SCT10N120 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 14 page ![]() SCT10N120 Electrical characteristics DocID027662 Rev 2 5/14 Table 7: Switching times Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) Turn-on delay time VDD = 800 V, ID = 6 A, RG = 10 Ω, VGS = -5 to 20 V - 7 - ns tf Fall time - 17 - ns td(off) Turn-off delay time - 14 - ns tr Rise time - 12 - ns Table 8: Reverse SiC diode characteristics Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit VSD Diode forward voltage IF = 6 A, VGS = 0 V - 4.3 - V trr Reverse recovery time ISD = 6 A, di/dt = 2000 A/µs VDD = 800 V, TJ=150 °C - 16 - ns Qrr Reverse recovery charge - 107 - nC IRRM Reverse recovery current - 12 - A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |