| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STO150GK12S bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Sirectifier Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STO150GK12S bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Sirectifier Semiconductors |
|
3 / 3 page ![]() 1 10 100 1000 0.1 1 10 I G VG mA 1: IGT, TVJ = 125°C 2: IGT, TVJ = 25°C 3: IGT, TVJ = -40°C V 4: PGAV = 0.5 W 5: PGM = 5 W 6: PGM = 10 W IGD, TVJ = 125°C 3 4 2 1 5 6 Fig. 1 Gate trigger characteristics 10 100 1000 1 10 100 1000 µ s tgd IG mA T VJ = 25°C typ. Limit Fig. 2 Gate trigger delay time 0.001 0.01 0.1 1 0 1200 1400 1600 1800 2000 2200 s A ITSM 80 % VRRM 50 Hz t 0.01 0.1 1 10 0 75 100 125 150 175 200 225 250 s IRMS t T VJ = 150°C TC = 85°C A TVJ =150°C TVJ =45°C Fig.4 Surge overload current Fig.3 Rated RMS current versus time (360° conduction) STO150GKXXS Single Thyristor Modules Page3 © 2009 SIRECTIFIER All rights reserved www.sirectifier.com Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |