| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BAT960 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAT960 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 8 page ![]() 2003 May 01 3 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diode BAT960 THERMAL CHARACTERISTICS Notes 1. Refer to SOT666 standard mounting conditions. 2. Mounted on printed circuit-board, 1 cm2 copper area. Soldering The only recommended soldering method is reflow soldering. CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. Notes 1. Only valid, if pins 1, 2, 5 and 6 are soldered on a 1 cm2 copper solder land. 2. Pulse test: tp = 300 µs; δ = 0.02. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 405 K/W note 2 215 K/W SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT VF continuous forward voltage IF = 10 mA 240 270 mV IF = 100 mA 300 350 mV IF = 1000 mA; note 1; see Fig.2 480 550 mV IR reverse current VR = 5 V; note 2 5 10 µA VR = 8 V; note 2 7 20 µA VR = 15 V; note 2; see Fig.3 10 50 µA Cd diode capacitance VR = 5 V; f = 1 MHz; see Fig.4 19 25 pF |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |