| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD920 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD920 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD920 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA, IB= 0 200 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A ,IB= 12mA 2.0 V VCE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation voltage IC= 5A ,IB= 20mA 4.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 3.0A ; VCE= 3V 2.5 V ICBO Collector Cutoff current VCB= 200V, IE= 0 0.1 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 200V, IB= 0 0.5 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 5 mA hFE DC Current Gain IC= 1A ; VCE= 4V 700 20000 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |