| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD836 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD836 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD836 DESCRIPTION ·High DC Current Gain- : hFE= 1000(Min.)@IC= 2A ·High Switching Speed ·Complement to Type 2SB750 ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·AF power amplifiers ·General purpose power amplifiers ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 2 A ICM Base Current-Peak 4 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 35 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ |
Số phần tương tự - 2SD836 |
|
Mô tả tương tự - 2SD836 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |