| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD670 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD670 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD670 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 50mA ;IB= 0 100 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 10A; IB= 40mA 2 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 10A ; VCE= 3V 2.5 V ICEO Collector Cutoff Current VCE= 100V; IB= 0 0.5 mA ICBO Collector Cutoff Current VCB= 100V; IE= 0 0.1 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 5 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 3 A ; VCE= 3V 1000 hFE-2 DC Current Gain IC= 8 A ; VCE= 3V 1000 20000 COB Output Capacitance IE= 0 ; VCB= 10V; ftest= 1MHz 300 pF Switching times ton Turn-on Time IC= 10A; IB1= -IB2= 40mA; VCC= 12V 2.0 μ s toff Turn-off Time 5.0 μ s |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |