| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD617 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD617 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD617 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT VCEO(SUS) Collector-Emitter Sustaining Voltage IC= 50mA ;IB=0 100 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 40mA 1.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 4A; IB= 40mA 2.0 V ICBO Collector Cutoff Current VCB=120V; IE=0 0.2 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 100V;IB= 0 0.5 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 5 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 1A; VCE= 4V 2500 hFE-2 DC Current Gain IC= 3A ; VCE= 4V 1000 hFE-2 DC Current Gain IC= 8A ; VCE= 4V 750 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |